根據TrendForce最新研究，高頻寬記憶體HBM技術發展受AI server需求帶動，三大原廠積極推進HBM4產品進度。由於HBM4的IO數增加，複雜的晶片設計使得晶圓面積增加，且部分供應商產品改採邏輯晶片架構以提高性能，皆推升成本。有鑑於HBM3e甫推出時的溢價比例約為20%，預料製造難度更高的HBM4溢價幅度將突破30%。
AI晶片領先業者NVIDIA於今年GTC大會亮相最新Rubin GPU，AMD則有MI400與之抗衡，上述產品都將搭載HBM4。TrendForce分析，和先前世代的產品相比，HBM4的IO數從1024翻倍提升至2048，資料傳輸速率則維持在8.0Gbps以上，和HBM3e相當。代表在相同的傳輸速度下，有較高通道數的HBM4傳輸資料量將倍增。
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此外，目前HBM3e base die採記憶體架構，僅為單純的訊號轉接。SK hynix與Samsung的HBM4 base die則與晶圓代工廠合作，改採邏輯晶片架構，具備整合HBM與SoC的功能，除了加快資料路徑、減少延遲之外，在高速的資料傳輸環境下更能增加穩定性。
由於需求強勁，TrendForce預估2026年HBM市場總出貨量預計將突破30Billion Gb，HBM4的市占率則隨著供應商持續放量而逐季提高，預計於2026年下半正式超越HBM3e系列產品，成為市場主流。至於供應商表現，預期SK hynix將以過半的市占率穩居領導地位，Samsung與Micron仍待產品良率與產能表現進一步提升，才有機會在HBM4市場迎頭趕上。
原文網址: | 財經 | Newtalk新聞 https://newtalk.tw/news/view/2025-05-25/972885
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